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蝕刻加工流程核心步驟

材料預處理：針對不銹鋼、銅材等基材進行脫脂、酸洗，確保表面無氧化物（油污殘留量≤0.1mg/m2）；

圖形轉移：通過LDI激光直寫或網印法制作掩膜，實現5μm線寬公差控制；

蝕刻加工工藝：采用濕法（FeCl?溶液）或干法（等離子體）精準腐蝕，完成0.02-15mm厚度材料的微孔陣列加工（密度達1000孔/cm2）；

后處理：去除殘膠后實施電解拋光（表面粗糙度Ra≤0.05μm），保障半導體屏蔽罩等產品的電學性能。

分類工藝特點

濕法蝕刻生產：適用于90%以上民用領域，成本低（溶液循環利用率≥95%），可處理復雜三維結構；

干法蝕刻加工工藝：滿足半導體3nm線寬需求，通過離子轟擊實現各向異性刻蝕（側蝕比＜1:0.2），適配晶圓級TSV通孔加工。

技術優勢與行業適配

超高精度：汽車傳感器濾網（公差±0.0075mm）、5G射頻基板（0.03mm蝕刻深度控制），展現蝕刻生產的微納級成型能力；

材料利用率：閉路再生系統將廢液排放量降低80%，相較傳統沖壓節約30%金屬損耗；

定制化適配：醫療植入器件（316L不銹鋼鹽霧耐蝕≥1000h）與家電蝕刻紋飾板的差異化工序，體現蝕刻加工工藝的多場景融合能力。